低功耗方法Sleep，经过履行一条睡觉指令就进入低功耗方法。假如使能，MDT将被清0，但仍坚持运转。TO（STUATUS4）位被置1，PD位（STUATUS3）被清0，振荡器驱动器被中止。一切I／O端口坚持Sleep指令履行前它们一切的状况（驱动高、驱动低或高阻）。
在这种方法时为使电流耗费最低，把一切的I／O引脚放在VDD或VSS电平上，以确保外部电路从I／O引脚、低功耗的A／D、不使能的外部时钟中拉出电流。为使电流耗费最低，TOCK1输入电平应该在VDD或VSS上。
特别事情触发器（TIMERI运用外部时钟异步方法，CCPI是用比较器形式）；
由于在睡觉期间，无片内时针呈现，所以其他外部事情不能产生中止。当履行Sleep指令时，下一个指令（PC＋1）被预取，关于经过中止事情唤醒的单片机，相应的中止使能方位1（使能），唤醒是不论GIE位的状况的。
假如GIE位清0（不使能），单片机在Sleep指令之后接连履行指令。假如GIE位是置1的使能，单片机在Sleep指令之后履行指令，然后分支到中止地址（0004h）。如不希望履行紧跟在Sleep指令之后的指令，用户应该在Sleep指令之后加一个NOP指令。
当整体中止不能维护任何中止或许已包含它的中止使能位和中止标志位是置1的时分，将产生下面之一。
①假如在Sleep指令履行之前产生中止，Sleep指令将作为一个NOP完结，因而WDT和WDT后分频器将不被清0，TD位将不会置1，PD位将不会清0。
②假如在Sleep指令履行期间或之后产生中止，单片机将当即唤醒睡觉，在唤醒之前Sleep指令将彻底履行。因而，WDT和WDT后分频器将被清0，TD位将被置1，PD位将被清0。
即便在履行Sleep指令之前标志位被查看，在Sleep指令完结之前标志位变成1也是或许的。为了决议Sleep指令是否履行，应该检测PD位，假如PD方位1，Sleep指令将作为NOP履行。为确保WDT清0，在Sleep指令之前应该履行CLRWDT指令。
内部电路调试器：当设置字里的DEBUG位被编程为0时，内部电路调试器功用使能。当运用MPLAB时，这种功用答应简略的功用调试，当微处理机有这种使能功用时，其间一些资源一般是不行运用的。
为了运用单片机的内部电路调试器功用，规划有必要完结内部电路串行编程以衔接MCLR／VPP、VDD、GND、R87和RB6。这样将内部电路调试器和微芯片或其他公司的开发工具衔接。
程序验证／代码维护：假如代码维护位不被编程，片内程序存储器能够被读出以便验证。
识别码D存储单元：4个存储器单元被设定为ID存储单元，在这里用户都能够贮存查看其他代码识别数。这些存储单元在正常履行中是不行拜访的，但在编程／修正期间是可读写的，引荐运用ID存储单元的低4位。
内部电路串行编程：PlC16P877微处理器在运用电路结束时能够被串行编程。可用两根线作为时钟线和数据线，其他线用作电源、接地和编程电压线来简略地完结。
当运用ICSP时，假如履行一个很多的擦除，部件有必要用4.5～5.5V电压供电。这包含从一个翻开状况到封闭状况两个的代码维护的惩罚编程。关于ICSP的一切其他状况，部件能够在一般操作电压下编程。这在某种程度上预示着振荡器值，绝无仅有的用户代码或用户码能够被惩罚编程或添加12。
设置LVP位使能低电压ICSP编程。这种形式答应微处理机在操作电压范围内运用一个vDD经过ICSP编程完结。这在某种程度上预示着Vpp不用带到VIHH，但在规范操作电压时能够替换。在这种形式里，RB3rPGM引脚被制定为编程功用和中止 个眼球的I／O引脚。在编程期间，VDD运用到MCLR引脚。为了进入编程形式，有必要运用RB3／PGM使LVP方位1。出厂时，LVP位的缺省值是1。
假如低电压编程形式不能使，那么LVP位不能编程到0，RB3／PGM变成一个数字I／O引脚，但是，当在MCLP上用VIHH进入编程时，LVP位只能够被编程，当MCLR上运用高电压时，LVP位只能够被置1。
当运用低电压ICSP时，假如履行一个很多的擦除，部件有必要用4．5～5．5V电压供电。这包含从一个翻开状况到封闭状况的两个代码维护的惩罚编程。关于ICSP的一切其他状况，部件能够在一般操作电压下被编程，这在某种程度上预示着振荡器值不变。用户代码或用户码叮以被惩罚编程或添加，
SED152OFOA液晶显现驱动器有13条指令，下面以M680O系列MPU按口为例（RES＝1），总结这些指令，如表所示。
下面以图所示的接口电路为例阐明液晶显现分区状况．E1、E2是液晶显现的操控引脚，别离操控不一样的区域，下面只对E1操控区域的程序进行剖析．
有了以上的通用子程序，就能够构造出各种显现程序，如字符、汉宇、曲线等。履行这些程序前，有必要对液晶显； J动进行初始化。初始化的次序为：关显现正常显现驱动设置占空比设置复位ADC挑选清屏－开显现，程序如下。
