Micro LED超高清显现研制项目成功点亮nStar Ⅲ。这是一款选用LTPS-TFT玻璃基驱动背板的1.84英寸Micro LED全彩显现屏，该屏选用全倒装无衬底LED像素发光单元，可完成屏幕峰值亮度＞1500nits，像素距离为0.078mm，分辨率360*480，有望应用于Micro LED手表等智能穿戴产品。
据国星光电介绍，nStar Ⅲ选用国星光电自主研制的巨量搬运技能和Micro LED玻璃基封装专利技能，不只完成＞50多万颗Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，搬运良率＞99.9%，还使得外形厚度更薄，平整度更高，可统筹散热与显现一致性。
从2020年6月nStar Ⅰ问世，到2022年9月推出nStar Ⅱ，再到本次迎来nStar Ⅲ，国星光电Micro LED全彩显现屏产品迭代晋级正在稳步推动傍边。
2020年6月，国星光电第一代Micro LED新品——nStar Ⅰ 2.7英寸显现模组正式问世。技能方面，据介绍，nStar Ⅰ选用玻璃作为基板介质，透明度高达60%；选用RGB芯片巨量搬运技能，色域大于100% NTSC，全彩化显现作用更传神；选用一体式超薄封装技能，对散热更友爱，一起确保了显现作用的一致性以及更低亮度不及；具有更低的失正派，功率可低至LCD的10-20%，OLED的50-70%，可靠性高。
2022年9月，公司又推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ。nStar Ⅱ为一款3.5英寸玻璃基Micro LED全彩显现屏，像素距离300微米（P0.3），选用TFT驱动完成了8bit（256灰阶）色深的显现作用；根据自主建立的Micro LED技能创新研制龙凤之姿，一起突破了巨量搬运及巨量键合两层技能难题，其归纳良率提高至99.99%。
伴随着nStar系列新产品更新换代，技能上不断向小距离、小尺度等方面晋级，功能继续提高，国星光电后续产品的开发将不断拓展应用范畴。
在Micro LED范畴，国星光电近年来大力布局自主研制，自2018年建立Mini&Micro LED研究中心后，2020年又建立了广东省半导体微显现要点实验室，现在，公司在Mini/Micro LED范畴已请求发明专利100余件。
值得一提的是，国星光电牵头承当的Micro LED全彩显现屏研制项目别离获批国家要点研制方案、广东省要点范畴研制方案等科研项目，这有助于国星光电全力推动Micro LED新式显现项目开发，加快关键技能攻坚进程。
